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重庆大学电气工程学院  
   
 
 
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教师简介
蒋梦轩
作者:  发布者:电子电气   日期:2017-09-23  浏览量:

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蒋梦轩                  
讲师                    
新型硅基、宽禁带电力电子器件及其电力电子装置应用                    
jiangmengxuan@cqu.edu.cn  



       

个人简介:

2011年加入国家千人计划沈征教授团队,2014年国家公派联合培养博士(美国伊利诺伊理工大学),2016年获湖南大学电气工程博士学位并加入国家千人计划冉立教授团队。

目前从事新型硅基、宽禁带电力电子器件,电力电子器件的封装与模块以及电力电子装置应用研究,应用领域包括新能源发电、输变电、电能质量,轨道交通、冶金化工、新能源汽车、工业电机节能和国防等。近几年来,发明了国际领先的高压大功率高速、高电流密度和高可靠性IGBT以及二极管、晶闸管等新型电力电子器件,并获多项发明专利;发表了国际顶级、国际权威、国际高水平期刊和会议论文十余篇;主持国家自然科学基金项目1项、中央高校基本科研业务费专项2项,参与国家重点研发计划、863计划、国家国际科技合作专项、国家自然科学基金等多项。

邮箱:jiangmengxuan@cqu.edu.cn

研究领域:

1、新型硅基、宽禁带电力电子器件

2、电力电子器件的封装与模块

3、电力电子器件的装置应用

研究项目:

1、国家自然科学青年基金,新型高压大功率碳化硅肖特基势垒IGBT的载流子输运与调控机理研究,2018/1-2020/12,主持;

2、中央高校基本科研业务费专项,新型大功率直流供电用AC/DC变流器的研究,2016/9-2018/8,主持;

3、中央高校基本科研业务费专项,宽禁带电力电子器件的电磁输运机理与调控方法研究,2017/1-2018/12,主持;

4、国家863项目,新型超大功率场控电力电子器件的研制及其应用,参与;

5、国家国际科技合作专项,超大功率电力电子器件及系统关键技术研究,参与;

6、国家自科基金,整晶圆特大容量IGBT器件研究,参与;

7、国家自科基金,新型电能质量调节与故障限流复合系统关键技术研究,参与;

8、国家自科基金,智能电网中宽频域谐波及其谐振问题与对策研究,参与。

部分论文:

[1]Mengxuan Jiang, Shen, Z. J.,  Simulation Study of An Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor with  P-Base Schottky Contact, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016,  63(5):1991-1995

[2]Mengxuan Jiang, Xin Yin, Zhikang  Shuai, Jun Wang, Shen, Z. J. An Insulated Gate Bipolar Transistor With a  Collector Trench Electron Extraction Channel, IEEE Electron Device Letter, 2015,  36(9):935 -937

[3]Mengxuan Jiang, Z. J. Shen, J. Wang,  Z. Shuai, X. Yin. Simulation Study of An Insulated Gate Bipolar Transistor with  Pinched-off N-type Pillar, IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2016,  4(3):144-148

[4]Zhenyu Miao, Gourab Sabui, Aozhu  Chen, Yan Li, Z. John Shen, Jun Wang, Zhikang Shuai, An Luo, Xin Yin, Mengxuan  Jiang. A self-powered ultra-fast DC solid state circuit breaker using a  normally-on SiC JFET, 2015 IEEE Applied Power Electronics Conference and  Exposition (APEC), Charlotte, NC, 2015: 767-773

[5]Jiang Mengxuan, Z. John Shen, Wang  Jun, Shuai Zhikang, Yin Xin, Sun Bingbing, Liao Linyuan. An Insulated Gate  Bipolar Transistor with Surface N-type Barrier, Journal of Semiconductor, 2015,  36(12):124004.1-124004.6

 

[6]Jiang Mengxuan, Z. John Shen. A  High-Conductivity Insulated Gate Bipolar Transistor with Schottky Hole Barrier  Contact, Journal of Semiconductor, 2016, 37(2):  100002.1-100002.5

 

 
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