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赵成

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赵成

学历:博士

职称:助理研究员

邮箱:zhaocheng303@cqu.edu.cn

研究方向:空间电能变换及大功率电力电子器件封装
  • 个人简介
  • 人才培养
  • 科学研究
  • 学术兼职

1996年生,博士。2017年毕业于吉林大学电气工程及其自动化专业,获工学学士学位。2023年6月毕业于西安交通大学电气工程专业,获工学博士学位。2023年7月,加入重庆大学电气工程学院空间电力科学与工程中心,获重庆大学泓深青年教师“特别资助”。主要从事空间电能变换、宽禁带功率半导体器件封装集成及应用方面的研究。已发表SCI期刊以及EI会议论文20余篇。授权美国发明专利1项,申请国内发明专利10项(已授权5项)。

长期从事碳化硅功率半导体器件封装集成领域的研究,针对多芯片并联构成大电流功率器件时电流及结温分布不均的问题展开了一系列研究工作,并取得了诸多成果。基于相关成果,已发表SCI期刊以及EI会议论文20余篇。授权美国发明专利1项,申请国内发明专利10项(已授权5项)。


长期从事碳化硅功率半导体器件封装集成领域的研究,针对多芯片并联构成大电流功率器件时电流及结温分布不均的问题展开了一系列研究工作,并取得了诸多成果。基于相关成果,已发表SCI期刊以及EI会议论文20余篇。授权美国发明专利1项,申请国内发明专利10项(已授权5项)。